主要用于對(duì)半導(dǎo)體硅晶圓、化合物半導(dǎo)體晶圓（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半導(dǎo)體晶圓（LiTaO3 等）等半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行高效、精密劃切，實(shí)現(xiàn)芯片單體化。
刀刃部分采用精密電鑄工藝制備而成，刀刃厚度范圍：10μm~100μm，微粉粒徑范圍：1500#~5000#。
擁有6檔磨粒集中度等級(jí)，適用晶圓種類(lèi)范圍更廣；具有出色的通用性，能夠適應(yīng)各種復(fù)雜場(chǎng)景的劃切需求，包括切割道內(nèi)含有金屬、 Pl/PO等各類(lèi)工況；在切割水含有CO2的環(huán)境中，表現(xiàn)出優(yōu)秀的耐腐蝕性能；在劃切超厚晶圓時(shí)（如晶圓級(jí)封裝芯片），槽型可穩(wěn)定保持垂直狀態(tài)。
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