主要用于LED 襯底及半導(dǎo)體晶圓（藍(lán)寶石片、碳化硅片、硅片、鍺片、砷化鎵片、氮化鎵片等）及其他材料晶圓及窗口片的減薄、硬拋及CMP 拋光制程。
具有高平面精度、高形貌精度、高使用壽命的特性，產(chǎn)品生產(chǎn)全流程工藝可靠、質(zhì)量穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品在不同工況下優(yōu)良的服役性能，有效解決了電極壓傷、裂盤、耐腐蝕能力差等諸多難題，在實(shí)際應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體晶圓材料良好的CMP拋光品質(zhì)。
最大尺寸Φ1000mm，全局平面度≤0.8um；局部平整度≤0.2um；陶瓷表面可制作各種異形條形碼，匹配自動(dòng)化產(chǎn)線。
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