主要用于射頻放大器、微波放大器等高功率射頻器件，高功率激光管二極管、激光管二極管陣列、高功率晶體管等高功率器件，以及GaN、GaAs、SiC等化合物半導體器件。
具有機械強度高、絕緣性好、介電常數低和重量輕等特點，室溫熱導率高達銅的5倍以上，可以使半導體器件在更小的空間內獲得更高的功率密度和提高可靠性，是高熱流密度器件散熱的最佳熱管理材料。
| 尺寸 | 1-6英寸，可定制 |
| 厚度 | 0.25-1mm，可定制 |
| 粗糙度 | ＜10nm |
| 厚度偏差 | ±0.03?mm |
| 熱導率 | 1000-2200W/(m·K)@25℃ |
| 熱膨脹系數 | 1±0.1ppm/K@25℃ |
0371-55983628
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