主要用于芯片前道制程中的光刻、量程、鍵合、退火等核心關鍵工序。
由高純碳化硅粉燒結而成，具有楊氏模量高、組織致密均勻、熱膨脹系數小、壽命長等特點，特別適用于吸附半導體片要求極高的平面度和極低的顆粒數量、金屬離子污染的先進檢測制程。
12英寸全局平整度≤0.3um，局部平整度≤0.1um；表面可涂覆高純涂層；具有豐富的卡盤設計能力，能夠應對翹曲0.8mm的晶圓；可滿足先進制程潔凈度要求。
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